良率狂飆衝破 80%！三星 HBM4 搶占先機，開賣四個月營收豪奪 10 億美元

今年 2 月，三星（Samsung）正式宣告啟動 HBM4 第六代高頻寬記憶體的量產；採用 4nm 晶圓製程的基礎底晶片（Base Die），並搭配 1cnm（第六代 10nm 級）製程製造核心 DRAM 晶片；憑藉量產初期即展現的穩定良率與業界頂尖的傳輸效能，三星成功搶占市場先機，帶動出貨快速放量，產品開賣僅四個月營收便一舉突破 10 億美元大關。

良率提前達標黃金門檻，TC-NCF 關鍵技術取得突破

根據 TrendForce 外媒報導，隨著傳統通用型 DRAM 的價格漲勢趨緩，記憶體產業的競爭焦點已全面轉向下一代 HBM，全球三大原廠紛紛加大投資力道。身為領頭羊的三星並未鬆懈，其 HBM4 量產良率已從上市初期的不足 60% 迅速攀升至近 80% 的「黃金良率」大關。

即便面對整體供應鏈緊繃的環境，其製程技術仍實現了超預期的升級，原先預定於 2026 年底達成的 80% 良率目標已顯著提前實現。

報導分析指出，三星良率的大幅跳升，歸功於其在熱壓非導電膠膜（TC-NCF）技術上的重大進展，成功攻克了這項長久以來被視為 HBM 製造中最為棘手的封裝瓶頸。

此外，作為核心支柱的 1cnm 製程 DRAM 晶片良率已於今年初推升至 80%，為 HBM4 奠定了極為穩固的生產基礎，成為拉升整體成品良率的另一大關鍵推手。

客戶驗證進度領先，年底市佔率上看 38%

TrendForce 預估，得益於在客戶驗證（Qualification）進度上的領先優勢及更強勁的出貨預期，三星今年的 HBM4 全球市佔率將迎來顯著擴張，年底目標直指 38%。相較之下，競爭對手 SK 海力士（SK Hynix）因部分驗證時程微調與產能配比影響導致市佔受限，美光（Micron）則受制於有限的產能供給。

除了最大客戶輝達（Nvidia）之外，包含超微（AMD）在內的各大 AI 晶片巨頭亦計畫擴大向三星採購 HBM4，以降低供應鏈過度集中於單一供應商的營運風險。

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