衝刺5nm！TSMC聯手Broadcom 推出新一代CoWoS平台：記憶體頻寬2.7TB/s

如今半導體的製程已經進步到了7nm，再往後提升會越來越難。想要提升晶片性能還可以從晶圓封裝上下文章。

此前TSMC曾推出過CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)封裝技術，將邏輯晶片和DRAM 放在中介層（interposer）上，然後封裝在基板上。這是一種2.5D/3D封裝製程，可以讓晶片尺寸更小，同時擁有更高的I/O頻寬。不過由於成本較普通封裝高了數倍，目前採用的客戶並不多。

3月3日TSMC宣布將與Broadcom聯手推出增強型的CoWoS解決方案，支援業界首創的兩倍光罩尺寸(2Xreticlesize)之中介層。新的增強型CoWoS平台能夠容納將多個邏輯系統單晶片(SoC)，最高提供96GB的HBM記憶體（6片），頻寬高達2.7TB/s。相較於前代CoWoS提升了2.7倍。如果是和PC記憶體相比，提升幅度在50~100倍之間。

TSMC表示此項新世代CoWoS平台能夠大幅提昇運算能力，藉由更多的系統單晶片來支援先進的高效能運算系統，並且已準備就緒支援TSMC下一代的5nm製程技術。Broadcom Engineering for the ASIC Products Division副總裁GregDix表示，很高興能夠與TSMC合作共同精進CoWoS平台，解決許多在7nm及更先進製程上的設計挑戰。

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