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Qimonda與Micron超越Samsung搶先推出DDR3樣品

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8643 0 bankerju 發表於 2007-3-30 01:05:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
據晶片產業分析機構Semiconductor Insights (SI)透露,記憶體晶片製造商奇夢達(Qimonda)和美光(Micron)已超越大廠三星電子(Samsung),率先推出新一代DDR3 (Double Data Rate 3) DRAM樣品。

SI行銷副總裁Jenn Markey在一份聲明中表示:「DDR3將帶來比DDR2快一倍的速度,而且功耗並沒有顯著上升,市場對DDR3的誕生期待已久。而令人驚訝的是,Qimonda和Micron竟然跑在大廠Samsung之前,領先推出了DDR3樣品。」

DDR3可提供高達1600Mbps的傳輸速率,比目前的DDR高一倍多。而由於電壓從1.8V降到1.5V,功耗更低,熱耗散更少,行動系統的電池壽命也會因此得到延長。此外DDR3在封裝、接腳(pinout),以及以更高速執行信令等方面有顯著改進。

Micron記憶體部門高級行銷經理Bill Lauer表示,該公司將在2007年中量產1-gigabit DDR3晶片,並提供2-gigabit DDR3晶片樣品。SI認為,DDR3市場可望在2007年出現,而目前的市場寵兒是速度在800MHz以上的512-megabit和1-gigabit記憶體。

(參考原文:Micron, Qimonda beat Samsung to DDR3)
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