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三星發佈Toggle DDR 4.0界面採用第五代V-NAND，限量生產開始

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發佈時間: 2018-7-10 16:46

正文摘要:

三星電子宣布，已經開始限量生產第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體，同時擁有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND採用96層堆疊設計，是目前行業紀錄，內部整合了超過850億個3D TLC CTF儲存單元，每單元可保存3bit數據 ...

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