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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] 三星發佈Toggle DDR 4.0界面採用第五代V-NAND,限量生產開始

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sxs112.tw 發表於 2018-7-10 16:46:52 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
三星電子宣布,已經開始限量生產第五代V-NAND 3D堆疊快閃記憶體,同時擁有超大容量和超高速度。三星第五代V-NAND採用96層堆疊設計,是目前行業紀錄,內部整合了超過850億個3D TLC CTF儲存單元,每單元可保存3bit數據,單Die容量達256Gb(32GB)。
三星發佈Toggle DDR 4.0界面採用第五代V-NAND,限量生產開始 - XFastest - Samsung_V-NAND_5th_Gen_800x600.jpg
這些單元以金字塔結構堆積,並在每一層之間貫穿極微小的垂直通道孔洞,尺度僅有幾百微米寬。它還業內首次使用了Toggle DDR 4.0界面,在儲存與記憶體之間的數據傳輸率高達1.4Gbps,比上代64層堆疊提升了40%,同時電壓從1.8V降至1.2V,能效大大提高。

數據寫入延遲僅為500微秒,比上代提升30%,而讀取訊號反應時間也大幅縮短到50微秒。三星還透露正在1Tb(128GB)容量的QLC V-NAND顆粒。

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