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SK Hynix將1c DRAM提升至六層EUV，為高NA EUV設計奠定基礎，使三星毫無競爭機會

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sxs112.tw
發佈時間: 2025-8-12 09:32

正文摘要:

SK Hynix計劃在1c DRAM方面取得重大進展，這將使DDR5和HBM產品的性能達到更高的水平，並使該公司成為該領域的領導者。 看來SK Hynix對三星最近在1c DRAM的措施更加重視，因為這家韓國公司預計將率先將該技術提升至 ...

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