SK Hynix將1c DRAM提升至六層EUV，為高NA EUV設計奠定基礎，使三星毫無競爭機會

SK Hynix計劃在1c DRAM方面取得重大進展，這將使DDR5和HBM產品的性能達到更高的水平，並使該公司成為該領域的領導者。

看來SK Hynix對三星最近在1c DRAM的措施更加重視，因為這家韓國公司預計將率先將該技術提升至六層EUV層（來自ZDNet Korea），從而樹立新的市場標準。此舉預計將增強該公司的消費級和HBM解決方案，更重要的是使其能夠朝向下一代DRAM技術邁進，而下一代DRAM技術很可能會採用高數值孔徑EUV技術。

對於不熟悉EUV的人來說，使用EUV通常是一個複雜的過程，因為其13.5nm波長針對的是極其複雜的電路，需要用更少的多重曝光步驟來列印更精細的特徵。傳統的DRAM技術通常混合使用EUV和DUV層，但現在SK Hynix計劃將1c DRAM完全切換到六層EUV層，從而使公司能夠生產出良率更高、性能更佳的產品，當然，利潤率也會更高。

有趣的是1c DRAM目前尚未應用於任何傳統的消費性記憶體解決方案，但SK Hynix正在探索其他方案，我們很可能會見到容量更大的DDR5 RAM。目前對EUV的投入是這家製造商的長期策略，因為隨著1d和0a DRAM等下一代產品的發展，該公司計劃將EUV融入這些技術中，最終使SK Hynix能夠整合這家韓國龍頭目前正在研發的高數值孔徑EUV技術。

EUV整合技術使SK Hynix能夠推出密度更高、速度更快、功耗更低的DDR5和更高容量的HBM，並提升良率。鑑於1c DRAM預計將以HBM4佔據主導地位，我們預計未來效能將大幅提升。

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