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作者: 插最快
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    [業界新聞] 美光發佈全球首顆手機3D快閃記憶體：容量32GB，採UFS2.1標準

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    1#
    插最快 發表於 2016-8-10 14:52:09 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    TLC SSD越來越多用上了3D快閃記憶體技術，現在美光將它帶到了智慧手機領域。美光今天宣佈了全球第一個基於UFS2.1存儲標準的手機3D-NAND解決方案，容量為32GB。

    3D-NAND好處有三點：提高壽命、做大容量(TB不是夢)、改善性能。由於3D-NAND走的是垂直發展，美光稱自己做到了60.217mm²的Die面積，一方面減少了對平面空間的佔用（30%），另一方面將立體空間利用起來，這對於智慧手機提高容量、集成更多元件（比如電池）具有很重要的意義。另外，美光配套開發了新的MCP多晶片封裝技術，支援LPDDR4X，這比LPDDR4還要省電20%。UFS2.1其實就是HS-G3，讀取速度達到1.5GB/s，寫入接近500MB/s，是目前UFS 2.0的2倍。

    micron.jpg



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