240億美金！ 美光佈局新加坡 NAND 快閃記憶體擴建項目，預計2028H2開始投產

隨著全球 DRAM 與 NAND 快閃記憶體需求激增，各大記憶體廠商紛紛啟動擴產計畫；其中三大廠，為美光（Micron）的佈局最為積極。

近期，美光與力積電（PSMC）簽署獨家合作意向書，斥資 18 億美元收購其位於台灣苗栗銅鑼的晶圓廠（不含設備），並同步協助力積電在新竹 P3 廠提升 DRAM 製程技術與 DDR4 產能。

在東南亞佈局方面，美光宣布啟動新加坡 NAND 快閃記憶體擴建項目，並於現有廠區舉行奠基儀式；美光預計在 10 年內投資約 240 億美元，打造新加坡首座「雙層晶圓廠」，提供 70 萬平方英尺的無塵室空間；該廠預計 2028 年下半年投產，旨在應對 AI 與資料中心應用快速成長所帶動的需求。

這並非美光在新加坡唯一的擴張行動，先前美光已在同一廠區興建高頻寬記憶體（HBM）先進封裝設施。美光指出，將 NAND 與 DRAM 生產整合能發揮綜效，並確保產能提升速度具備彈性，以靈活因應市場變動。此外，研發與製造共址的策略能提升效率，縮短產品上市時間，並深化產學研究合作。

此次擴產預計為 NAND 產線創造 1,600 個職位，加上 HBM 先進封裝的 1,400 個名額，兩項計畫共將創造約 3,000 個新增職缺，涵蓋製造工程與營運等領域。美光也計畫導入 AI、先進機器人及智慧製造技術，全面提升生產效能與創新實力

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