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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 美光宣布3D快閃記憶體產量超越2D， 第二代量產

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sxs112.tw 發表於 2016-12-14 21:39:20 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
美光近日宣布，旗下3D立體堆疊的NAND快閃記憶體在產量輸出上已經首次超越傳統的2D平面型快閃記憶體，標誌著一個新時代的到來。值得一提的是，美光這裡說的產量並非晶圓數量，而是快閃記憶體容量。美光2D MLC/TLC快閃記憶體使用16nm製程，單顆最大容量128Gb(16GB)，3D MLC/TLC則分別可達256/384Gb(32/48GB)，很容易超越前者。
6597128f3050130.jpg

3D閃存並非簡單的堆疊，而是使用了完全不同的製程技術，所以對於廠商的產能調控能力考驗很大。三星、海力士、東芝等也都一直在大力投入3D快閃記憶體，尤其是作為領頭羊的三星非常激進。如今市面上的主流SSD基本都已經轉換到3D快閃記憶體，大勢所趨不可逆轉。美光同時宣布其第二代3D快閃記憶體也即將量產，新加坡工廠將在2016年夏天產出首批晶圓，成本比第一代降低超過30％，比2D平面型降低幾乎一半。
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