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作者: sxs112.tw
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    [記憶體 卡 碟] 三星首發第三代HBM2E顯示記憶體:頻寬增加33%,頻率至3.2Gbps

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    1#
    本週固態儲存協會(JEDEC)發布第三版HBM2儲存標準JESD235C,將針腳頻寬提高到3.2Gbps,前兩版中依次是2Gbps、2.4Gbps,頻率提升33%。按照設計規範,單Die最大2GB、單堆棧12 Die(無標準高度限制),也就是24GB容量,對應1024bit頻寬,單堆棧理論最大頻寬410GB/s。對於支援四堆棧(4096bit)的顯示晶片來說,總頻寬高達1.64TB/s。第三代HBM2的電壓和上一版一致,為1.2V,比第一代的1.35V有所下降。
    Samsung-HBM2E-Flashbolt-GTC2019.jpg

    簡單比較下,常見高階顯示卡採用的256bit GDDR6,按照14Gbps的針腳頻寬計算,總頻寬448GB/s,也就是第三代HBM2一個堆棧的水平。考慮到HBM2更容易擴充匯流排寬度,GDDR6過猶不及,況且單堆棧最大容量就能達到24GB,四堆棧直逼100GB。

    事實上3.2Gbps的第三代HBM2早先已經由三星和SK Hynix提出,並更名為HBM2E,這種說法也得到了JEDEC默認。在JESD235C標準發布的同時,三星宣布名為Flashbolt(前兩代名為Flarebolt和Aquabolt)的第三代HBM2(HBM2E)儲存晶片將在上半年量產,單顆最大容量16GB,由16Gb的單Die通過8層堆疊而成。

    三星的第三代HBM2E甚至支援超頻,單針腳可加速到4.2Gbps,單堆棧最大頻寬從而升至538GB/s。

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