Micron今天宣布它正在向選定的智慧手機製造商和晶片組合作夥伴運送其 1β (1-beta) DRAM技術的合格樣品，並已通過世界上最先進的DRAM技術製程實現量產準備。該公司正在其低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) 行動記憶體上推出其下一代製程技術，提供每秒8.5Gb (Gb) 的最高速度等級。該製程在性能、位元密度和功率效率方面提供了顯著的收益，這將帶來市場優勢。除了型甕動，1β還提供低延遲、低功耗、高性能DRAM，這對於支援從智慧車輛到數據中心的高反應應用、即時服務、個性化和情境化體驗至關重要。
世界上最先進的DRAM製程1β代表公司在2021年的1α (1-alpha) 批量出貨鞏固了公司市場領先地位的進步。該製程提供約15%的功率效率提升和超過35%的位元密度每個裸片容量提高了16Gb。
這一里程碑也緊隨Micron於7月出貨全球首個232層NAND之後，其架構旨在推動前所未有的儲存性能和密度。憑藉這些新的第一，Micron繼續在記憶體和儲存創新領域引領市場——這一切都得益於公司在尖端研發 (R&D) 和製程技術方面的深厚根基。
隨著LPDDR5X的出樣，行動生態系統將率先從1β DRAM的顯著收益中獲益，這將開啟下一代行動創新和先進的智慧手機體驗——同時消耗更少的電力。憑藉1β 的速度和密度，高頻寬用例將在下載、啟動和同時使用需要大量數據的5G和人工智慧 (AI) 應用期間反應靈敏且流暢。此外採用1β的LPDDR5X不僅將增強智慧手機鏡頭啟動、夜景模式和人像模式的速度和清晰度，還將實現無抖動、高解析度8K影片和手機內影片編輯。
1β製程技術的每比特低功耗為智慧手機提供了市場上最節能的記憶體技術。這使得智慧手機製造商能夠設計出電池壽命更長的設備——這對於消費者希望在使用耗能、數據密集型應用的同時延長電池壽命至關重要。
在這款採用1β的LPDDR5X上使用新的JEDEC增強型動態電壓和頻率縮放擴展核心 (eDVFSC) 技術也實現了節能。以高達每秒3,200Mbps的雙倍頻率層添加eDVFSC提供了改進的節能控制，從而能夠根據獨特的最終用戶模式更有效地使用電源。
消息來源
|
收藏
分享
分享
提升卡
置頂卡
沉默卡
喧囂卡
變色卡
顯身卡
