PR：瀾起科技推出第二代MRCD和MDB晶片，專為提升DDR5 MRDIMM記憶體模組效能而設計

sxs112.tw · 發表於 2025-1-26 20:07:30

中國半導體設計公司瀾起科技宣布成功推出第二代MRCD和MDB晶片樣品，推動記憶體領域的創新。

[新聞稿]：瀾起科技今日宣布已成功向全球領先的記憶體製造商提供第二代多路復用列寄存器時脈驅動器（MRCD）和多路復用列資料緩衝器（MDB）晶片樣品。這款新晶片組專為DDR5多路復用列DIMM (MRDIMM) 設計，支援高達12800MT/s的資料速率，為下一代運算平台提供卓越的記憶體效能。

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此次發布正值關鍵時刻，因為人工智慧和大數據分析推動了資料中心對記憶體頻寬的需求不斷增長。 MRDIMM技術已成為應對此挑戰的關鍵解決方案，特別是隨著伺服器處理器核心數量的不斷增加。

創新的MRCD和MDB晶片是MRDIMM操作的基礎，有1+10緩衝架構，其中每個MRDIMM模組包含一個MRCD和十個MDB晶片。在此配置中MRCD晶片處理位址、命令、時脈和控制訊號的緩衝和重新驅動，而MDB晶片管理記憶體控制器和DRAM晶片之間的資料流量。該架構與雙倍資料速率和時分複用技術相結合，能夠以標準速率同時運行兩個記憶體列，從而有效地使資料吞吐量加倍。

瀾起科技Gen1 MRCD和MDB晶片組支援高達8800MT/s的速度，已獲得各大記憶體製造商的大量採購。新的Gen2工程樣品進一步突破了性能界限，達到了12800MT/s，比上一代提高了45%。除了MRCD和MDB之外，瀾起科技還提供全面的記憶體介面和模組支援解決方案，包括RCD、DB、CKD、SPD Hub、PMIC和TS。

此外該公司已於2024年第四季開始提供Gen5 DDR5 RCD (RCD05) 晶片樣品，進一步擴大其領先業界的產品組合。這些產品為客戶提供一站式採購，同時確保最佳的系統整合和效能。

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