Intel詳細介紹了其新一代18A製程，該製程將取代其Intel 3，提供改進的時脈和電壓縮放。
在2025年VLSI技術與電路研討會上Intel進一步強調了其下一代18A製程的特性，該製程將出現在即將推出的系列產品中，例如針對客戶端的Panther Lake CPU和伺服器導向的Clearwater Forest E-Core-only Xeon產品。
先進的CMOS技術
採用RibbonFET (GAA) 和Power Via的Intel 18A平台技術，可實現先進的高效能運算」 – Intel（論文T1-1）採用RibbonFET和Power Via的先進Intel 18A技術與Intel 3相比，密度提高了30%以上，整個性能都提升了。Intel 18A提供高效能 (HP) 和高密度 (HD) 庫，有全功能技術設計能力和增強的設計易用性。
看起來Intel 18A製程的主要亮點將是RibbonFET (GAA) 和 PowerVia，從而實現向下一輪製程技術的過渡。
從18A RibbonFET技術開始，Intel將在FinFET技術上取得實質飛躍，提供閘極靜電的改進，與FinFET相比，單位面積有效寬度更大，與FinFET相比，單位面積寄生電容更小，並且提供比FinFET更高的靈活性。
Intel還透過為180H和160H庫導入多種帶狀寬度、透過DTCO優化邏輯功率/洩漏與性能以及針對位元單元性能優化的SRAM專用帶狀寬度，提高了RibbonFET與 FinFET的設計靈活性，所有這些都增強了在18A製程上製造的下一代晶片的性能和設計能力。
Intel的18A PowerVia技術也將有助於改進下一代電晶體的功率傳輸，該技術採用背面電源訊號線而非正面電源訊號線。這些新線路被分離並分別進行最佳化，從而實現：
- 提高邏輯密度
- 更好的標準單元利用率
- 下部訊號RC
- 減少電壓降
- 更高的設計彈性
透過這些改進，Intel 18A比Intel 3提供了超過15%的等功率效能提升。
在相同的1.1V電壓下，Intel 18A的頻率提高了約25%，並且還支援低於0.65V的低壓運行，在相同時脈頻率下可節省高達38%的功耗。Intel表示18A的多個因素有助於提高性能，例如：
- RibbonFET電晶體
- 背面功率優勢
- 前端互連改進
- 流程/設計共同優化
在密度擴展方面，Intel 18A比Intel 3密度提升高達39%（約30%），其背面供電技術使單元利用率提升8-10%，將最壞情況下的IR下降降低10倍。Intel 18A也支援180nm HP庫高度（而非240nm，Intel 3），160nm HD庫高度（而非210nm，Intel 3），以及32/32的M0/M2間距（而非30/42，Intel 3）。
最後在SRAM擴展方面，Intel 18A的HCC SCRAM密度較Intel 3提升了30%，提供HCC 0.0230um²和HDC 0.0210um² SRAM。至於18A，它不止於此，因為該公司還有更多製程更新，並將於2026-2028年之間推出。該系列包括18A-P和18A-PT，它們最近在Direct Connect 2025上發布。Intel也希望客戶能夠利用這些製程進行晶片生產。
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