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作者: fsaa3dfx
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    日本 Elpida 宣佈 50nm 製程 DDR3 開發終了

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    fsaa3dfx 發表於 2008-11-26 18:38:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    消息來源︰

    https://journal.mycom.co.jp/news/2008/11/26/020/index.html

    今天，日本DRAM半導體晶片製造廠商Elpida（爾必達）發佈公告稱

    其50nm制程的DDR3記憶體顆粒已經研製完成。

    50nm制程的DDR3記憶體顆粒能夠在更低的電壓下達到更高的傳輸速度

    功耗也降低不少，其基本電壓為1.2V，速度為2.5Gbps。

    該50nm制程的DDR3顆粒採用了其銅互連技術

    以及業界最先進的193nm（ArF）浸入式光刻技術製作。

    晶片面積小於40mm2，工作電壓可設定為1.2V、1.35V或1.5V，頻率最高可達到2500MHz。
    　　
    Elpida將會在2009年第一季度大規模生產50nm制程的DDR3記憶體顆粒。

    50nm 製造 SDRAM︰

    001.jpg
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