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作者: sxs112.tw
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    [儲存裝置] SK Hynix 128層4D NAND出貨：手機能上1TB容量、UFS 3.1極速

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    sxs112.tw 發表於 2019-11-21 00:05:00 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    2019年智慧手機的容量進一步提升，中高階手機基本上是128GB起跳，高階會上512GB，個別產品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去，明年1TB容量的手機會更多，因為SK Hynix現在已經開始出貨1TB UFS 3.1給手機廠商，堆棧層數達到了128-Layer。
    SK-Hynix-128-Layer-4D-NAND-1.png

    今年6月份SK Hynix全球首發128層堆棧的4D NAND，本質上還是3D NAND，4D NAND就SK Hynix自己這麼叫。此外SK Hynix的128-Layer 4D NAND還實現了業內最高的垂直堆疊密度，為此SK Hynix應用了一系列創新技術，比如超同類垂直蝕刻技術、高可靠性多層薄膜單元成型技術、超快低功耗電路技術，等等。同時新的128-Layer 4D NAND單顆容量1Tb(128GB)，是業內儲存密度最高的TLC。

    SK Hynix官方今天表示1TB容量的UFS 3.1已經出樣給手機廠商，預計明年下半年的5G手機就會用上這種大容量+超高速的UFS。從這款產品開始SK Hynix也會把NAND重點轉向5G手機，目前中國市場上正在大力推動5G，儲存晶片市場有望從中受益，畢竟5G速度更快，下載、保存的數據量也更高，對手機容量要求更高。

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