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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 三星開始量產10nm 128Gb TLC NAND快閃記憶體晶片

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sxs112.tw 發表於 2013-4-11 20:37:02 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星宣布開始量產10nm的128Gb TLC NAND快閃記憶體晶片。在去年11月時三星才開始生產10nm的64Gb TLC NAND快閃記憶體晶片，而現在已經翻倍了。
nand.jpg

據Softpedia介紹，新的快閃記憶體晶片將會應用於128GB的記憶卡，500GB或更高容量的SSD 固態硬碟，PCI-E的SSD，還有其他方面。三星表示新晶片使用了Toggle DDR 2.0介面，傳輸速度可以達到400Mbps，而儲存密度也是業界最高的。與20nm的64Gb TLC快閃記憶體晶片相比，10nm的128Gb TLC快閃記憶體晶片產品的生產力可以達到它的兩倍。

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