Crossbar開發出新型儲存器RRAM，單晶片容量達1TB

近日Crossbar公司宣稱開發出一種先進的非易失性儲存器，在一塊鏡片上可以儲存1TB容量的資料，而且它的速度比傳統NAND要快20倍，壽命是普通NAND的10倍。

他們採用的技術被稱為Resistive RAM（電阻式記憶體），或是RRAM。在大小為200平方毫米的晶片上就可以做到1TB的容量，能裝下250部FullHD電影，超過10萬張高解析度圖片。這種新型儲存器的cell單元採用了三層的結構，為非金屬下電極，非晶矽切換層和金屬上電極，若以3D堆疊的架構可以進一步擴大容量。