邁入20nm大關，三星量產最先進4Gb DDR3記憶體顆粒

今天三星宣布開始量產全球最先進的4Gb DDR3記憶體顆粒，這種顆粒採用了最新的20nm製程（不是20nm class）、改進的封裝製程和現有的ArF浸入式光刻技術生產，性能比25nm DDR3高30%，比30nm級別DDR3高1倍以上，同時功耗比25nm減少25%。

在原本的DRAM中，每一個單元之間都要通過一個電容器和晶體管連接，相比起只需要一個晶體管連接的NAND記憶體顆粒，前者要擴展容量更加困難。為了解決這一難題，三星修改了DRAM的設計和生產技術，並提出了雙重曝影和原子層沉積技術。其中最重要的雙重曝影可以使用現有光刻技術生產20nm DDR3，同時又為下一代10nm級別DRAM生產建立了技術基礎。後者則是一種新的超薄介質層技術，可以帶來更強的性能。

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