TSMC要搶先Intel了，2016年底10nm節點啟用EUV製程

半導體業界等待EUV光刻設備已經很多年了，荷蘭ASML公司正在出貨量產型EUV設備，預計在2016年的10nm節點上正式啟動EUV製程。但跟傳聞中Intel搶先使用EUV製程不同，TSMC台積電反倒是部署EUV製程最積極的一個，他們將在2016年底的10nm節點上啟動EUV製程。

在日前舉辦的投資者會議上，ASML公司公佈了EUV設備的最新進展及未來預期。他們提到，TSMC公司已經購買了兩台量產型NXE：3300B光刻設備，2015年交付，而之前已交付的兩台設備則會升級到最新型的NEX:3350B級別。
按照規劃，TSMC將在2016年底的10nm製程節點上正式啟用EUV工藝。
此前傳聞最早啟用EUV工藝的公司是Intel，畢竟他們技術實力最強，而且是ASML的大股東之一。但是Intel對EUV工藝似乎等煩了，也可能是他們技術實力太強了，反正他們此前表態就算沒有EUV工藝，他們也懂得如何製造10nm以上的晶體管，所以Intel在10nm節點並不會使用EUV工藝，他們預計在2018年的7nm工藝上才會應​​用EUV工藝。
目前ASML公司的EUV光刻設備是NXE:3300B，源功率已經提升到80W，每天產能為500片晶圓，下一步預計會提到125W源功率，產能提升到1000片晶圓/天，2016年正式量產型則會提升源功率到250W，產能提升到1500片晶圓/天。

對於未來的預計，ASML認為邏輯電路會最早使用EUV工藝，2016年的10nm節點上就會量產了，NAND閃存預計會在2019開始啟用EUV工藝，DRAM及MPU產品則會在2018年進入EUV時代，而EUV工藝則有助於廠商縮小芯片面積，簡化工藝。
如果一切順利，ASML預計2020年前會出貨50-60台EUV設備，營收達到120億美元。

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