東芝/Sandisk年底推出BiCS 3D快閃記憶體：48層堆棧，晶片面積最小

全球四大NAND豪門中，三星早在2年前就率先量產了3D快閃記憶體，他們的V- NAND快閃記憶體已經出了2代了，隨後的是Intel、美光，雙方的3D NAND快閃記憶體今年也要量產了，SK Hynix的3D快閃記憶體今年也要量產。現在東芝、Sandisk的3D NAND快閃記憶體也跟進了，晶圓廠的生產設備已經安裝，今年下半年開始試產，相關產品2016年出貨。

雖然都是3D堆棧快閃記憶體，不過幾家廠商所用的技術並不完全相同，東芝、Sandisk聯合研發的3D快閃記憶體叫做BiCS 3D NAND（Bit Cost Scaling），堆棧層數達到了48層，核心容量為128Gb ，而三星第一代V-NAND堆棧層數才24層，目前的第二代是32層堆棧，Intel、美光的3D NAND也是32層堆棧，不過他們的核心容量是256Gb，TLC類型則可以做到384Gb核心。

除了​​​​ 堆棧層數最多之外，東芝、Sandisk的BiCS 3D​快閃記憶體號稱在所有3D快閃記憶體晶片中核心面積最小，這一點倒一直是東芝/Sandisk快閃記憶體的優點，15nm的平面NAND中東芝快閃記憶體也是核心面積最小的。


東芝、Sandisk去年就宣布了新一代NAND晶圓廠的建設，日本四日市的Fab 5一期、二期工廠主要生產15nm製程，都已經投產，新建的Fab 2工廠則針對3D快閃記憶體，經過一年的建設現在已經開始安裝3D快閃記憶體生產設備，預計今年下半年開始初步生產並出樣，2016年初3D快閃記憶體正式出貨。

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Intel、Micron vs. Toshiba、Sandisk
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