超越三星的 32 層 NAND Flash， Sandisk 與 Toshiba 發表 48層 3D NAND Flash

SanDisk 和東芝公司今天宣布，他們正在製造48層 256Gbit（32GB）的高密度 3D NAND Flash 快閃記憶體。該技術採用了東芝的 BiCS 技術，每單元電晶體可塞入3 bit資料，儲存容量至少上看 1TB，遠超過其他市面上的主流產品。

記憶體堆疊層數越多、密度越大，單位製造成本也就越省，三星第二代「三層式儲存(TLC)3D NAND」晶片雖然已進入量產，但只有32層，也就是說SanDisk新晶片順利上市後應該可以在定價上取得優勢。



目前 Sandisk 與 Toshiba 於雙方營運的日本三重縣四日市市工廠開始試生產，目前預計 2016 年才會看到實際產品的問世，相信這會對業界帶來相當大的影響。

消息來源：pcwatch、computerworld