東芝全球首發16 Die堆疊快閃記憶體

東芝快閃記憶體這兩天好嗨啊。全球第一個做到48層堆疊、單Die容量256Gb之後，今天又宣布利用TSV矽穿孔技術，開發出全球第一個16 Die堆疊NAND快閃記憶體。兩項技術相結合，意味著一顆快閃記憶體晶片的容量可以達到256×16÷8＝512GB！四顆就能輕鬆搞定2TB固態硬碟！不過現階段，東芝還沒能將二者融為一體，這裡使用的每一顆Die容量為128Gb，但即便如此，單顆快閃記憶體容量也能有256GB，四顆就可以1TB，八顆即可2TB 。同時，東芝還提供了8 Die堆疊版本，單顆容量也可達128GB。

東芝介紹說，此前的堆疊快閃記憶體都是藉助封裝內引線接合(wire bonding)實現的，TSV技術則使用垂直電極和通道，打通各個矽晶片來實現連接，可以大大提高數據的輸入輸出，並降低功耗。東芝的這種TSV立體堆疊快閃記憶體還支援Toggle DDR界面，I/O數據率可以超過1Gbps，電壓也十分低：核心電路僅1.8V，I/O電路更是只有1.2V，因此讀寫和I/ O數據傳輸的功耗可以降低大約50％。

東芝表示，這種新快閃記憶體延遲低、頻寬高、效能高，尤其適合高階企業級SSD。不過東芝並未透露何時能夠出貨，估計還得一段時間，畢竟只是剛剛開發出來。

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