三星否認投資200億美元提高3D NAND產量

據路透社報導，《韓國經濟新聞》稱，三星電子計劃明年底前投資25萬億韓元（約合213億美元）提高3D NAND快閃記憶體產量。對此三星電子予以否認。全球最大的記憶體晶片公司三星電子在提交的監管文件中稱，媒體對其晶片投資計劃的報導是不准確的，還未決定具體的投資計劃。

《韓國經濟新聞》報導，三星電子的計劃是為了壟斷記憶體晶片市場，讓東芝、美光科技、英特爾和中國的XMC等無法追趕。6月14日業內消息稱，三星電子計劃在韓國華城工廠第17號生產線上建設一條3D NAND快閃記憶體生產線，此前還宣布將第16號生產線改造為3D NAND生產線。到今年底，該公司的生產能力可達到10萬塊晶圓片/月。

另外，三星電子已經決定在年底前將完工的韓國平澤工廠生產3D NAND快閃記憶體（第一階段產量可達10萬塊晶圓片/月）。三星電子還將擴建中國西安工廠，使每月產量達到4萬塊晶圓片。

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