2017年中國將推自主生產3D NAND快閃記憶體，32層堆棧

由於智慧手機、SSD市場需求強烈，快閃記憶體、記憶體等儲存晶片最近都在漲價，這也給了中國公司介入儲存晶片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，儲存晶片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的儲存晶片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND快閃記憶體，而且是32層堆棧的，起點不算低。

今年7月份的時候，紫光公司收購了新芯科技公司多數股份，成立了武漢長江儲存科技有限公司（簡稱TRST），紫光公司控股一半多，董事長趙偉國也將擔任長江科技公司的董事長，這個項目就變成了紫光公司主導了——當初收購美光的夢想無法實現，收購WD的事也黃了，不過紫光現在總算可以正式進軍儲存晶片領域了。

Digitimes援引業界消息稱，長江儲存公司最快2017年底正式推出3D NAND快閃記憶體，32層堆棧結構，也就是說明年我們就有可能看到真正中國的快閃記憶體晶片了。

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