美光記憶體、快閃記憶體Roadmap：64層3D NAND、QLC、GDDR6

在2017冬季分析師會議上，美光宣布CEO Mark Durcan退休，該公司將尋找新的CEO人選，這意味著美光即將進入新的時代。在這次會議上，美光公司還公佈了一系列產品路線圖，涉及NAND快閃記憶體及DRAM記憶體兩個主力，引人注意的是美光今年將量產64層3D NAND快閃記憶體，並研究QLC快閃記憶體的市場需求，DRAM記憶體也在推進1X、1Ynm製程進展，並準備推出GDDR6。


先說快閃記憶體方面的，美光今年主要是生產32層堆棧的TLC快閃記憶體，2017財年底（今年9月之前）將會製造64層3D NAND快閃記憶體，這是第二代3D NAND快閃記憶體了，而第三代3D NAND快閃記憶體預計會在2017年下半年推出，不過細節未知，從美光公佈的數據來看，3代3D快閃記憶體每單位晶圓的GB容量進一步提升40%。

值得注意的是，美光也提到了QLC快閃記憶體，在此之前東芝及WD也公開提到了研發QLC快閃記憶體，也是每個cell單元儲存4位元數據的NAND，TLC則是3位元數據。不過QLC快閃記憶體目前還只是研發階段，真正上市還早呢。

雖然美光的3D NAND快閃記憶體量產時間晚於三星，不過他們在3D NAND也有獨到之處，此前美光/Intel就公佈過世界上容量最高的384Gb TLC快閃記憶體，這次美光又公佈了世界上核心面積最小的256Gb 3D NAND快閃記憶體核心，只有59mm2，與其他廠商的64層3D NAND相比，美光的256Gb核心密度達到了4.3Gb/mm2，比競爭對手高出25%左右。由於面積更低，美光的256Gb核心3D NAND主要用於行動市場，另外還有512Gb的TLC快閃記憶體，不過演示中並沒有提及。

在DRAM記憶體技術方面，美光去年完成了20nm製程轉換，2017年還會繼續推進新製程研發，2017財年底會實現有意義的1Xnm製程DRAM生產，每Gb成本預計降低20%以上。2017年下半年則會開始轉向1Ynm製程，而美國、日本的研發中心也會進行第三代10nm級製程1Znm研發。

目前顯示使用的記憶體是GDDR5及GDDR5X，後者還是美光獨家提供的，而在未來產品上，美光預計會在今年底或者明年初推出GDDR6，這跟三星在2018年推出GDDR6的計劃差不多。此外，美光及Intel聯合開發的3D XPoint快閃記憶體也沒啥消息，Intel好歹還推出了16、32GB容量的3D XPoint快閃記憶體，美光雖然將其命名為QuantX產品線，但一直沒有產品宣布。

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