SK Hynix 開始量產 72-Layer 3D NAND 快閃記憶體

SK海力士開始大規模生產第四代（72層）3D NAND快閃記憶體，並實現了所謂的“黃金收益”。

其解決方案產品使用自己的控制器和固件通過認證。與以往的方法相比，72層3D NAND快閃記憶體的生產力將提高30％，並將與三星電子第四代（64層）3D NAND閃存的生產力相似，這些閃存從6月開始批量生產。

SK Hynix的3D NAND快閃晶片是一個TLC產品，每個單元可以節省3Bit。與每個單元節省2Bit的MLC產品相比，TLC具有更高的單位容量生產成本。72層3D NAND快閃記憶體的堆疊數量是48層產品的1.5倍，SK海力士通過最大限度地提高現有的批量生產設備，將生產力提高了30％。

SK Hynix還透過在晶片內應用快速電路設計，將操作速度提高了一倍，並且讀寫能力提高了約20％。

SK Hynix將自己的控制器和固件應用於基於TLC的NAND解決方案，證明其在相關技術方面的競爭優勢也在增加。

有人預測，隨著SK Hynix成功大規模生產72層NAND閃存，全球NAND快閃記憶體市場的景氣將會發生變化。

資料來源：guru3d.com