Everspin宣佈千兆級晶片ST-MARAM

據外媒報導，磁性隨機存取記憶體(MRAM)將在今年達到一個新的里程碑。Everspin宣佈開始嘗試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM晶片，另外他們已經將這款高壽命、非易失性的記憶體晶片生產提上議程。 Everspin的ST-MRAM能夠提供持久的記憶能力，相較于普通的NAND快閃記憶體技術，它可以減少寫入放大倍數並擁有更好的耐用性。

這款新晶片採用的則是一個相容DDR4的介面。這家公司表示，供應商可以利用持久的記憶技術設計企業級SSD或對現有的儲存產品展開進一步的改善。

據瞭解，ST-MARAM的密度要比公司旗下現有的任何256MB(32MB)晶片大得多。Everspin指出，從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉變是開發這種千兆級晶片的關鍵，另外它還展示了公司垂直磁性隧道結(pMTJ)的可擴展性。

首批配備Everspin全新千兆MRAM晶片的產品之一將來自Smart Modular公司。該公司計畫發佈一款NVMe PCIe硬碟，它的重量和長度都將減半，其將用於中繼資料緩存和儲存加速應用。Smart Modular表示，該產品單元在4K隨機讀寫測試中能夠達到1500K IOPS。

眼下，Everspin正在快閃記憶體峰會(Flash Memory Summit)展示他們的1Gb ST-MRAM。

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