比UFS 2.1性能還強，UFS 3.0正式發布：2.9GB/s

1月31日上午消息，固態技術協會（JEDEC）發布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI，通用快閃記憶體儲存) v3.0標準（JESD220D、JESD223D），和UFS記憶卡v1.1標準（JESD220-2A）。簡單來說，UFS 3.0引入了HS-G4規範，單通道頻寬提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。

由於UFS的最大優勢就是雙通道雙向讀寫，所以接口頻寬最高23.2Gbps，也就是2.9GB/s。互聯層設計方面，嚴格遵守MIPI（行動產業處理器接口）的規範協議，其中物理層依據MIPI M-PHY v4.1，傳輸層依據MIPI UniProSM v1.8。其它方面UFS 3.0支援的分區增多（UFS 2.1是8個），糾錯性能提升，電壓2.5V，支援最新的NANG Flash介質。針對工業領域如汽車自動駕駛，工作溫度零下40攝氏度到高溫105攝氏度。

至於UFSHCI v3.0規範則針對控制器廠商參考，用於簡化通行設計。至於UFS記憶卡v1.1，則實現了對HS-Gear1/2/3的全部相容，這樣儲存速度就達到最高1.5GB/s。另外三星已經宣布，將在2018年第一季首發推出UFS 3.0的產品。由於驍龍845、Exynos 9810等尚無證據支援UFS 3.0，所以是否對應Galaxy S9終端或者僅僅是控制器、快閃記憶體這類零部件，暫不得而知。

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