Intel將於今年年底推出3D XPoint NVDIMM以取代DRAM

三年前Intel、美光宣布了3D XPoint，號稱性能、耐用性是快閃記憶體的1000倍，容量密度是記憶體的10倍，是首個量產的能夠兼具快閃記憶體、DRAM優勢的革命性儲存晶片。目前3D XPoint已經在SSD領域逐步開花結果，下一步就要進軍記憶體市場了，Intel將在今年內推出NVDIMM標準的3D XPoint記憶體，容量更大，而且斷電也不會丟失數據。

有必要先了解下DRAM、NAND的區別，簡單說就是DRAM速度極快，延遲是納秒級的，但容量小（相對來說），斷電就損失數據，而NAND容量大、價格低，不過延遲是微秒級的，性能遠不如記憶體。JEDEC標準化組織之前推出了NVDIMM標準，也就是一種斷電不損失數據、使用記憶體封裝格式的產品，介於DRAM與NAND之間。

Intel XEON處理器/數據中心市場部經理Lisa Spellman日前在日本出席了一場公開活動，介紹了Intel在伺服器、數據中心市場上的新進展，PC Watach網站做了詳細報導，除了新一代Xeon處理器之外，Intel的還透露了採用3D XPoint的NVDIMM記憶體進展。根據Intel所說，採用3D XPoint的NVDIMM記憶體預計今年中開始發貨，將用於下一代代號Cascade Lake的Xeon Scale處理器平台上。不過原文並沒有提及Intel的NVDIMM記憶體的具體規格，容量、性能依然未知。

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