Intel 10nm製程揭秘：2.7倍電晶體管密度，首次使用貴金屬釕

Intel現在的主力製程依然是14nm，目前已經發展了三代14nm製程，將會一直用到2019年底，之後才會升級10nm製程。不過10nm處理器最近已經上市了，聯想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架構的Core i3-8121處理器，通過分析Intel的10nm製程電晶體管密度達到了100MTr/mm2，是14nm節點的2.7倍，而且Intel首次使用了貴金屬釕。

Techinsights日前就以聯想Ideapad 330中的Core i3-8121處理器為例分析了Intel的10nm製程，詳細報告還沒有發布，他們只公布了部分數據，Intel的10nm製程主要創新如下：

·邏輯電晶體管密度達到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1億個電晶體管，電晶體管密度是14nm製程的2.7倍多。


Intel之前公佈的自家10nm製程特點

·10nm FinFET使用的是第三代FinFET電晶體管製程技術
·10nm製程的最小柵極距（gate pitch）從之前的70nm縮小到了54nm。
·10nm製程的最小金屬間距（metal pitch）從之前的52nm縮小到了36nm。

Intel 10nm製程亮點：

·與現有10nm及即將問世的7nm製程相比，10nm製程具有最好的間距縮小指標
·在後端製程BEOL中首次聯合使用金屬銅及釕，後者是一種貴金屬
·在contact及BEOL端使用了自對齊曝光方案（self-aligned patterning scheme）

設計亮點：
·通過6.2-Track高密度庫實現了超級縮放（Hyperscaling ）
·Cell等級的COAG（Contact on active gate）技術

關於Intel的10nm製程優勢，之前我們也介紹過，而且Intel CEO也解釋過他們的10nm製程為什麼難產的問題，一大原因就是他們的10nm製程指標定的太高了，10nm製程100MTr/ mm2的電晶​​體管密度實際上跟台積電、三星的7nm製程差不多，性能指標是很好的，但遇到了良率這樣的問題，所以量產時間上要比其他兩家落後兩年多。

消息來源

Intel之前公佈的自家14nm製程特點<<這邊是不是10nm才對?

金大帥 發表於 2018-6-14 18:10
Intel之前公佈的自家14nm製程特點

不好意思，改一下