SK Hynix宣佈業內首款4D快閃記憶體：512G​​b TLC、年末出樣

正在美國舉辦的Flash Memory Summit首日已經結束，亮點頗多。

Keynote環節倒數第二個出場的是SK Hynix，它在NAND市場的全球市佔率排名第五，DRAM市佔率全球第二。首先是3D NAND的技術路線選擇，SK Hynix稱CTF（Charge Trap Flash）比Floating Gate儲存單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）。

其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D快閃記憶體就開始使用CTF了，Toshiba/WD（SandDisk）的BiCS亦是如此。當然Micron/Intel還是堅持Floating Gate，不過這倒無所謂，畢竟他們有更厲害的3D Xpoint。

接下來SK Hynix宣布推出了全球首款4D快閃記憶體。

參數方面號稱業內第一款4D快閃記憶體是V5 512Gb TLC，採用96層堆疊、I/O速度1.2Gbps（ONFi 4.1標準）、面積13mm2，今年第四季出樣。BGA封裝的可以做到1Tb（128GB），模組最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出樣。性能方面V5 4D晶片面積相較於V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提昇25%。另外V5 4D也規劃了QLC，通過96層堆疊，單Die最小1Tb，明年下半年出樣。

SK Hynix內部的4D快閃記憶體已經推進到了128層堆疊，很快可以做到單晶片512GB，2025年做到單晶片8TB。目前SK Hynix的3D NAND是72層堆疊，單晶片最大512Gb（64GB），首款企業級產品PE4010已於今年6月份出貨給微軟Azure伺服器。

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