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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] SK Hynix宣佈業內首款4D快閃記憶體:512G​​b TLC、年末出樣

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sxs112.tw 發表於 2018-8-8 10:24:17 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
正在美國舉辦的Flash Memory Summit首日已經結束,亮點頗多。

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Keynote環節倒數第二個出場的是SK Hynix,它在NAND市場的全球市佔率排名第五,DRAM市佔率全球第二。首先是3D NAND的技術路線選擇,SK Hynix稱CTF(Charge Trap Flash)比Floating Gate儲存單元面積更小、速度更快、更耐用(P/E次數多)。

其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D快閃記憶體就開始使用CTF了,Toshiba/WD(SandDisk)的BiCS亦是如此。當然Micron/Intel還是堅持Floating Gate,不過這倒無所謂,畢竟他們有更厲害的3D Xpoint。

接下來SK Hynix宣布推出了全球首款4D快閃記憶體。
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參數方面號稱業內第一款4D快閃記憶體是V5 512Gb TLC,採用96層堆疊、I/O速度1.2Gbps(ONFi 4.1標準)、面積13mm2,今年第四季出樣。BGA封裝的可以做到1Tb(128GB),模組最大2TB,塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB,2019年上半年出樣。性能方面V5 4D晶片面積相較於V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提昇25%。另外V5 4D也規劃了QLC,通過96層堆疊,單Die最小1Tb,明年下半年出樣。

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SK Hynix內部的4D快閃記憶體已經推進到了128層堆疊,很快可以做到單晶片512GB,2025年做到單晶片8TB。目前SK Hynix的3D NAND是72層堆疊,單晶片最大512Gb(64GB),首款企業級產品PE4010已於今年6月份出貨給微軟Azure伺服器。

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