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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 針對高階智慧手機:WD發布96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體iNAND MC EU321

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sxs112.tw 發表於 2018-10-9 21:01:21 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
今天WD推出96層3D NAND UFS2.1嵌入式快閃記憶體:iNAND MC EU321,採用了WD 96層3D NAND技術、UFS 2.1技術及WD iNAND SmartSLC 5.1架構,能夠為智慧手機、平板電腦和PC筆記型電腦設備提供卓越的數據性能,接近滿負荷運行也能實現出色體驗。iNAND MC EU321嵌入式快閃記憶體旨在加速實現AI人工智慧、AR增強實境、支援多個鏡頭的高解析度攝影、4K影片採集以及其他之對高階手機及計算設備的高要求應用。
針對高階智慧手機:WD發布96層3D NAND UFS 2.1嵌入式快閃記憶體iNAND MC EU321 - XFastest - WDC_press_white_Optimized.jpg
行動設備已成為我們日常互聯生活的中心,用戶對設備的期望以及支援這些日益豐富用戶體驗的技術需求也在水漲船高。隨著針對5G速度、4K影片、AR和VR的新興,預計行動數據的數量、速度和種類將在未來幾年內將有所飆升。在傳統儲存架構下,設備的性能通常會隨著容量的消耗而逐漸降低。新3D NAND技術使得用戶能夠獲得更高的內建容量,從而支援其整個智慧手機生命週期對數據的需求。iNAND MC EU321 EFD專門用於高性能運轉,使用戶能夠始終自如地創建、保存他們的數位體驗。

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