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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] SK Hynix量產首個4D NAND快閃記憶體:96層堆棧速度提升30%

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sxs112.tw 發表於 2018-11-5 23:07:43 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
隨著64層堆棧3D NAND的大規模量產,全球6大NAND廠商今年都開始轉向96層堆棧的新一代3D NAND,幾家廠商的技術方案也不太一樣,SK Hynix給他們的新快閃記憶體起了個4D NAND的名字。在今年的FMS國際快閃記憶體會議上正式宣告了業界首個採用CTF技術的4D NAND,日前他們又宣布4D NAND正式量產,目前主要是TLC類型,96層堆棧,512Gb核心容量,使用該技術可以減少30%的核心面積,讀取、寫入速度分別提升30%、25%。
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根據SK Hynix之前公佈的信息,所謂的4D NAND其實也是3D NAND,它是把NAND Cell單元的PUC(Peri Under Cell)電路從之前的位置挪到了底部,所以叫了4D NAND,本質上其實還是3D NAND,4D NAND有很強的商業味道。

SK Hynix的4D NAND首先會量產TLC類型的,核心容量分別是512Gbt、1Tb,都是96層堆棧,IO接口速度1.2Gbps,不過兩者的BGA封裝面積是不一樣的,1Tb版顯然更大一些。至於QLC類型的,這個未來會是SK Hynix量產的重點,核心容量1Tb,但量產時間會在明年下半年,還需要一些時間。

韓聯社報導稱SK Hynix公司4日宣布正式宣布96層堆棧的4D NAND,TLC類型,核心容量512Gb,與現有的72層堆棧3D NAND相比,4D NAND的核心面積減少了30% ,單片晶圓的生產輸出增加了50%,而且性能也更強——讀取速度提升30%,寫入速度提升25%。根據官方所說,4D NAND今年內會量產,而主要生產基地就是剛剛落成的M15工廠,總投資高達15萬億韓元,約合135億美元。

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