INTEL eMRAM已準備好大批量生產，基於FinFET工藝

不管是DRAM內存還是NAND閃存，最近都在跌價，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發布了2019年Q1季度DRAM內存價格趨勢報告。根據他們的報告Q1季度內存市場均價跌幅將達20%，Q2季度會再跌15%。而NAND閃存方面大家的感受更明顯，2018年市場均價跌幅已達50%，並且DRAMeXchange認為若仍無足夠需求動能支撐，2019年NAND閃存仍可能再跌50%。對於消費者來說，好消息還不止這些。

根據techpowerup的報導，EETimes上不久前發布了一份報告，該報告顯示英特爾自己的商用MRAM（磁阻隨機存取存儲器）已經準備好大批量生產。 MRAM主要利用磁致電阻的變化來表示二進制的0和1，從而實現數據的存儲，是一種非易失性存儲技術，這意味著即使斷電情況下，它仍然會保留住信息，同時它還有不輸於DRAM的容量密度及使用壽命，平均能耗也遠低於DRAM。由於不管是DRAM內存還是NAND閃存，製程微縮已遭遇瓶頸，相對地，MRAM未來製程微縮仍有許多發展空間，MRAM因此備受期待，認為可以取代DRAM內存和NAND閃存。

週二提交這篇論文的英特爾工程師Ligiong Wei說，英特爾嵌入式MRAM技術可在200攝氏度下實現長達10 年的記憶期，並可在超過100萬個開關週期內實現持久性。 MRAM省電的特性，意味著英特爾嵌入式MRAM將很有可能先用於移動設備上。並且嵌入式 MRAM 被認為特別適用於例如物聯網 (IoT) 設備之類的應用，也趕搭上 5G 世代的列車。

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