Intel：Co-EMIB將EMIB和FOVEROS結合在一起

在本週舊金山舉辦的SEMICON West大會上，Intel介紹了三項全新的先進晶片封裝技術，並推出了一系列全新基礎工具，包括EMIB、Foveros技術相結合的創新應用，新的全方位互連( ODI)技術等。

作為晶片製造過程的最後一步，封裝在電子供應鏈中看似不起眼，卻一直發揮著極為關鍵的作用。作為處理器和主機板之間的物理接口，封裝為晶片的訊號和電源提供著陸，尤其隨著行業的進步和變化，先進封裝的作用越來越凸顯。另一方面半導體製程和晶片架構的日益複雜，傳統SoC二維單晶片思路已經逐漸行不通，chiplet多個小晶片封裝成為大勢所趨。

Intel正是利用先進技術，將晶片和小晶片封裝在一起，達到SoC的性能，而異構整合技術提供了前所未有的靈活性，能夠混搭各種IP和製程、不同的記憶體和I/O單元， Intel的垂直整合結構在異構整合時代尤其獨具優勢。

Intel此次公佈的三項全新封裝技術分別是：

一、Co-EMIB
利用利用高密度的互連技術，將EMIB(嵌入式多晶片互連橋接) 2D封裝和Foveros 3D封裝技術結合在一起，實現高頻寬、低功耗，以及相當有競爭力的I/O密度。Co-EMIB能連接更高的計算性能和能力，讓兩個或多個Foveros元件互連從而基本達到SoC性能，還能以非常高的頻寬和非常低的功耗連接模擬器、記憶體和其他模組。

Foveros 3D封裝是Intel在今年初的CES上提出的全新技術，首次為CPU處理器引入3D堆疊設計，可以實現晶片上堆疊晶片，而且能整合不同製程、結構、用途的晶片，相關產品將從2019年下半年開始陸續推出。

二、ODI

ODI全名Omni-Directional Interconnect，也就是全方位互連技術，為封裝中小晶片之間的全方位互連通訊提供了更大的靈活性。ODI封裝架構中，頂部的晶片可以像EMIB下一樣，與其他小晶片進行水平通訊，還可以像Foveros下一樣，通過矽通孔(TSV)與下面的底部Die進行垂直通訊。ODI利用更大的垂直通孔，直接從封裝PCB向頂部Die供電，比傳統矽通孔更大、電阻更低，因而可提供更穩定的電力傳輸，同時通過堆疊實現更高的頻寬和更低的時延。此外這種方法減少了基底晶片所需的矽通孔數量，為有源電晶體管釋放更多的面積，並優化了Die的尺寸。

三、MDIO

採用高Advanced Interface Bus (AIB) 物理層互連技術，Intel發布了這種名為MDIO的全新Die間技術。MDIO技術支持對小晶片IP模組庫的模組化系統設計，能效更高，反應速度和頻寬密度可以是AIB技術的兩倍以上。Intel強調這些全新封裝技術將與Intel的製程相結合，成為晶片架構師的創意調色板，自由設計創新產品。





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