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作者: sxs112.tw
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[處理器 主機板] Intel:Co-EMIB將EMIB和FOVEROS結合在一起

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sxs112.tw 發表於 2019-7-10 22:40:54 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
在本週舊金山舉辦的SEMICON West大會上,Intel介紹了三項全新的先進晶片封裝技術,並推出了一系列全新基礎工具,包括EMIB、Foveros技術相結合的創新應用,新的全方位互連( ODI)技術等。

作為晶片製造過程的最後一步,封裝在電子供應鏈中看似不起眼,卻一直發揮著極為關鍵的作用。作為處理器和主機板之間的物理接口,封裝為晶片的訊號和電源提供著陸,尤其隨著行業的進步和變化,先進封裝的作用越來越凸顯。另一方面半導體製程和晶片架構的日益複雜,傳統SoC二維單晶片思路已經逐漸行不通,chiplet多個小晶片封裝成為大勢所趨。

Intel正是利用先進技術,將晶片和小晶片封裝在一起,達到SoC的性能,而異構整合技術提供了前所未有的靈活性,能夠混搭各種IP和製程、不同的記憶體和I/O單元, Intel的垂直整合結構在異構整合時代尤其獨具優勢。

Intel此次公佈的三項全新封裝技術分別是:

一、Co-EMIB
利用利用高密度的互連技術,將EMIB(嵌入式多晶片互連橋接) 2D封裝和Foveros 3D封裝技術結合在一起,實現高頻寬、低功耗,以及相當有競爭力的I/O密度。Co-EMIB能連接更高的計算性能和能力,讓兩個或多個Foveros元件互連從而基本達到SoC性能,還能以非常高的頻寬和非常低的功耗連接模擬器、記憶體和其他模組。
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Foveros 3D封裝是Intel在今年初的CES上提出的全新技術,首次為CPU處理器引入3D堆疊設計,可以實現晶片上堆疊晶片,而且能整合不同製程、結構、用途的晶片,相關產品將從2019年下半年開始陸續推出。

二、ODI

ODI全名Omni-Directional Interconnect,也就是全方位互連技術,為封裝中小晶片之間的全方位互連通訊提供了更大的靈活性。ODI封裝架構中,頂部的晶片可以像EMIB下一樣,與其他小晶片進行水平通訊,還可以像Foveros下一樣,通過矽通孔(TSV)與下面的底部Die進行垂直通訊。ODI利用更大的垂直通孔,直接從封裝PCB向頂部Die供電,比傳統矽通孔更大、電阻更低,因而可提供更穩定的電力傳輸,同時通過堆疊實現更高的頻寬和更低的時延。此外這種方法減少了基底晶片所需的矽通孔數量,為有源電晶體管釋放更多的面積,並優化了Die的尺寸。

三、MDIO

採用高Advanced Interface Bus (AIB) 物理層互連技術,Intel發布了這種名為MDIO的全新Die間技術。MDIO技術支持對小晶片IP模組庫的模組化系統設計,能效更高,反應速度和頻寬密度可以是AIB技術的兩倍以上。Intel強調這些全新封裝技術將與Intel的製程相結合,成為晶片架構師的創意調色板,自由設計創新產品。

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