取代FinFET：三星計劃首發3nm GAA製程晶片、性能約提高30%

據韓國媒體報導三星電子事實上的領導人李在鎔（Lee Jae-yong）今日討論了三星利用全球首個3nm製程製造晶片的戰略計劃。

該報導稱李在鎔今日參觀了三星電子位於京畿道華城（Hwaseong）的半導體研發中心。這也是李在鎔在2020年的首個官方行程，期間他聽取三星電子3nm製程技術報告，並與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。

據三星電子稱李在鎔討論了三星計劃採用正在研發中的最新3nm GAA製程技術來製造尖端晶片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，能確保晶片製造商進一步縮小體積。

去年4月三星電子完成了採用EUV的5nm FinFET製程技術的研發。如今該公司正在研究下一代製程技術（即3nmGAA）。三星電子表示，與5nm製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

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