台積電2nm製程進入研發階段：升級GAA電晶體管、改進EUV效率

做為全球最大最先進的晶圓代工廠，台積電在7nm、5nm上領先三星等對手，明年面還會量產3nm，接下來則是2nm。台積電計劃未來三年投資1000億美元，其中先進製程花費的資金最多，2nm也是前所未有的新製程，台積電去年稱2nm取得了重大進展，進度比預期的要好。

實際上台積電的2nm沒有宣傳的那麼誇張，此前只是技術探索階段，尋找到了可行的技術路徑。現在2nm才算是進入了研發階段，重點轉向了測試載具設計、光罩製作及矽試產等方向。

根據台積電的說法2nm上，他們也會放棄FinFET電晶體管結構，轉向GAA環繞柵極結構，此前三星更為激進，在3nm就會棄用GAA電晶體管，不過這兩家的GAA晶體管結構也不會一樣，孰優孰劣還沒定論。在2nm上，光刻製程更加重要，EUV光刻是少不了的，但此前的EUV還存在不少問題，台積電的2nm也會重點改進EUV製程，提高光刻中的品質及效率。

至於量產時間，台積電的2nm現在還在起步階段，此前消息稱是2023年試產2nm，2024年量產。

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