Intel推出RibbonFET電晶體管架構，將在2024年使用

透過RibbonFET，Intel將導入了一種新的電晶體管架構，製造商希望從2024年開始在其Intel 20A製程中使用該架構。它是Intel對環柵電晶體管的實現。Intel還將透過背面為晶片供電。

Intel將RibbonFET作為當前製程中使用的Finfet電晶體管的繼任者。從2024年開始，Intel將在其Intel 20A製程上使用新的電晶體管架構。Intel將其命名為“2nm”製程。根據Intel的說法，新的電晶體管更小，開關速度更快，這應該會帶來更好的性能。

RibbonFET是Intel對其環柵電晶體管願景的命名。其他晶片製造商也在研究這種GAA電晶體管作為Finfet的後繼產品。2019年底三星展示了其3nm的GAA電晶體管設計。IBM今年早些時候也宣布它正在開發帶有GAA電晶體管的2nm晶片技術。

三星計劃從2022年開始在其3nm製程中使用其GAA電晶體管。台積電預計將在其2nm製程使用GAA電晶體管。而這家台灣製造商在去年宣布其所有未來3nm製程仍將使用Finfet電晶體管。

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