WD將從今年開始量產162層NAND

上週Micron公佈了其NAND計劃，WD在其投資者日也公佈了計劃。不同的NAND製造商使用類似但遠非相同的方式來製造他們的NAND，WD正在與Kioxia合作，兩者都使用稱為位列堆疊(BiCS NAND)的製程。今年兩家公司將轉向其第六代BiCS NAND，該產品堆疊了162層NAND。他們的大多數競爭對手已經採用176層堆棧，儘管WD和Kioxia仍然提供與其競爭對手相同容量的NAND。WD聲稱他們的晶片尺寸比競爭對手小，這可能是一個優勢，因為每個晶圓有更多的晶片。

WD在其展示文件中列出了100TB的單晶片容量，比2020年的每晶片約70TB有所增加。雖然我們無法驗證，但WD聲稱擁有世界上最好的電荷陷阱電池，該公司聲稱與競爭對手相比性能更高。WD提供的資料聲稱在60MB/s和40MB/s的競爭中領先20MB/s。儘管WD和Kioxia聲稱必須減少投資以增加產能，但在可以堆疊的層數方面，它們似乎落後於競爭對手。兩家公司只計劃在2024年將他們稱之為BiCS+的層數超過200層，這遠遠落後於Micron一年多。路線圖一直延伸到2032年，那時我們顯然應該看到500層NAND，假設一切按計劃進行。第一個BiCS+ NAND將用於數據中心產品，WD表示他們的第一個產品應該比當前的BiCS6 NAND提高60%的傳輸速度、15%的程式頻寬和55%的每個晶圓的bit增長。

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