KIOXIA研發7bit/cell快閃記憶體，目前需在零下200度低溫執行

對於NAND，大家都知道SLC、MLC往後的TLC、QLC存在性能越來越低、錯誤率越來越高的問題，但是容量更大，所以快閃記憶體廠商一直在研發更多的快閃記憶體，KIOXIA的研究已經到了7bit/cell，需要在零下200度的低溫環境下才能試驗。

對於MLC，有必要先說一些基礎知識，實際上SLC之後的都應該算作MLC，快閃記憶體的類型是按照cell單元儲存的電荷位數來判定的，大家所說的MLC實際上是2bit/cell，TLC是3bit/cell，QLC則是4bit/cell，在下面的是PLC，5bit/cell。

KIOXIA等快閃記憶體龍頭的研究更深入，去年KIOXIA就公佈過6bit/cell的研究，也就是HLC，今年的IMW 2022會議上KIOXIA又公佈了7bit/cell的研究成果。不過7bit/cell現在還沒正式命名，倒是再下一代的8bit/cell的名字有了，叫做OLC。

跟之前的6bit/cell一樣，7bit/cell也是在77K溫度，也就是液氮環境中做測試的，大約是零下200度，這樣做是為了降低數據讀取時的干擾。根據KIOXIA的研究，在7bit/cell中材料從之前的多晶矽換成了單晶矽，電阻更低，漏電流減少了，寫入及讀取操作時的閾值電壓波動可以最小化。

要知道7bit/cell意味著有128級電壓變化，因此7bit/cell寫入時控制電壓的難度大幅提升，稍有波動就有可能導致更多的錯誤，這也是快閃記憶體類型越升級，性能及可靠性越差的原因。KIOXIA沒有公佈7bit/cell的具體性能，畢竟現在是零下200度的測試，沒有實際使用的意義，但是大家對7bit/cell的性能就不要有什麼指望，QLC的原始速度都跌入100MB/s以內了，7bit/cell還要再渣幾倍，性能就別想了。

以後7bit/cell的SSD就算是問世了，估計也只會用於讀取居多的場景，不適合頻繁寫入的需求。

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