SK Hynix展示其有300 layers的第8代3D NAND

SK Hynix憑藉其多層NAND技術一直處於創新的前端。直到去年8月該公司才宣布開發238層4D NAND。這款NAND有望在今年上半年進入量產。但隨著這項技術進入市場，SK Hynix現在正在看得更遠。

Tom's Hardware詢問有關於未來第8代3D NAND技術的新訊息。它將有300 layers，以超過20GB/mm^2的密度實現1Tb (128GB) 容量。它的吞吐量將比 238 layers快18%，最高可達194MB/s。

未來的20Gb/mm2 NAND，來源：SK Hynix/Tom's Hardware

該公司分享了他們實現更高密度NAND的目標，包括：

• 三重驗證程序 (TPGM) 功能可縮小單元閾值電壓分佈並將tPROG（編程時間）減少10%，從而轉化為更高的性能；
• Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP)——另一種將tPROG降低約2%的方法；
• 全通上升 (APR) 方案，可將tR（讀取時間）降低約2%並縮短字線上升時間；
• 編程虛擬串 (PDS) 技術可透過降低通道電容負載來縮短tPROG和tR的世界線穩定時間；
• 平面級讀取重試 (PLRR) 功能允許更改平面的讀取級別而不終止其他平面，因此立即發出後續讀取命令並提高服務品質 (QoS) 和讀取性能。
  

遺憾的是官方目前還沒有關於這款300 layers的詳細訊息。資料和訊息可能來自最近的ISSCC展示文件。事實上目前SK Hynix網站上還沒有提及這項即將推出的技術，因此尚不清楚這項技術何時會進入量產。但是2024年是一個不錯的猜測。

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