三星將推出代號為Snowbolt的HBM3P記憶體，每個堆棧的頻寬高達5TB/s

三星電子將展示代號為Snowbolt的下一代高頻寬記憶體HBM3P。Snowbolt將加入前幾代HBM和三星產品的行列，例如Flarebolt、Aquabolt、Flashbolt和 Icebolt。ZDNet Korea報導稱三星於2023年4月26日為其最新的DRAM HBM3P Snowbolt向專利訊息搜索服務 (KIPRIS) 提交了商標申請，預計將於今年下半年發布。

文件顯示代號Snowbolt的發佈時間與HPC雲端系統、超級電腦和用於人工智慧的高頻寬DRAM的發佈時間一致。Snowbolt是三星電子下一代HBM DRAM產品的品牌名稱，目前還未確定該名稱將用於哪一代產品。

三星電子HBM分支的前幾代產品是：

• Flarebolt：第一代HBM2記憶體
• Aquabolt：三星電子2018年推出的第二代HBM2記憶體
• Flashbolt：本公司第三代HBM2E記憶體（2020）
• Icebolt：這款HBM3記憶體最初是在原型階段發布的，但預計將在今年晚些時候量產
  

另外三星也表示

我們已經向主要客戶提供了HBM2和HBM2E產品，以便及時提供滿足AI市場需求和技術趨勢的最高性能和最高容量的產品，以及HBM3（16GB和12GB）。不過24GB的產品也在出樣中，量產的準備工作已經完成。不僅是目前的HBM3，還有市場需要的更高性能和容量的下一代HBM3P產品正以業界最佳的性能為下半年做準備。

這將使HBM3P的整體性能比其前代產品提高10%，而且客戶還將利用預計明年將在HBM3P中採用的先進的高多層堆疊和記憶體頻寬實現。該路線圖還顯示了到 2025年將使用PIM（記憶體編程）的HBM3P和到2026年使用HBM4的HBM3P。

更多大型科技龍頭正在利用高頻寬記憶體來顯著增加數據處理，以增強機器學習AI。HBM市場在過去幾年呈指數級增長，HBM的銷量逐漸超過DRAM。三家公司佔據了高頻寬記憶體的市佔率，其中有SK Hynix、三星電子和Micron。SK Hynix佔據了50%。三星電子以40%緊隨SK Hynix之後，Micron僅以10%的市佔率排名第三。

消息來源