採用E-Core的Intel 4 PowerVia晶片展示了背面供電的優勢

Intel很快將在Intel 4 E-Core晶片中展示其稱為PowerVia的下一代背面供電技術。

VLSI已在推特上發布了Intel  PowerVia使用的第一眼，並將在6月開始的2023年VLSI研討會期間進行展示。在推文中VLS 展示了Intel在晶片背面使用PowerVia的情況，該晶片被提及使用Intel 4製程並搭載全E-Core。

Intel 4晶片看起來像是採用舊的LGA1151/LGA1200設計，因為它的形狀是方形的，並且在封裝下方有一個輔助裸Die。這是您通常會看到大量小型電晶體管的區域，但其中大部分已被PowerVia技術取代。考慮到E-Core使用並採用Intel 4製程，它很可能採用即將推出的為Meteor Lake的E-Core提供動力的Crestmont架構。

此外電池利用率顯示在晶片內2.9mm2的面積內，Intel PowerVia技術的利用率可高達90%。此外這不僅提高了利用率，而且還導致時脈速度略有提高，IR壓降減少，在同一晶片上實現了高5%的時脈。

更有趣的是VLSI表示這是一種高產設計，但至少要到Arrow Lake或Lunar Lake世代才會出現。原因是20A和18A製程的消費級晶片將採用PowerVia和RibbonFET 。據說第一批PowerVia晶片將於2024年投入量產。

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