(PR)SK hynix剛剛推出了業界最高層的NAND技術，採用高達1Tb TLC封裝的321層設計

新聞稿： SK hynix今天展示了321層4D NAND樣品，公開了其業界首款300層以上NAND的開發進展。

該公司在8月8日至10日於聖克拉拉舉行的2023年快閃記憶體高峰會 (FMS)** 上介紹了321層1Tb TLC* 4D NAND的開發進展，並展示了樣品。SK hynix在業界率先詳細公佈了300層以上NAND的開發進展。公司計劃提高321層產品的完工水平，並於2025年上半年開始量產。

該公司表示其在已量產的全球最高238層NAND的成功中積累的技術競爭力，為321層產品的順利開發鋪平了道路。憑藉解決堆疊限制的另一項突破，SK hynix將開啟300層以上的NAND時代，並引領市場。

與上一代238層512Gb相比，321層1Tb TLC NAND的生產率提高了59%，這得益於技術的發展，使得單晶片上可以堆疊更多的單元和更大的儲存容量，這意味著單片晶圓的總產能增加。自ChatGPT的推出加速了生成式AI市場的增長以來，對能夠以更快的速度處理更多數據的高性能、大容量儲存產品的需求正在迅速增長。

相應地在FMS上，SK hynix還推出了針對此類AI需求優化的下一代NAND解決方案，包括採用PCIe Gen5和UFS 4.0的企業級SSD。該公司期望這些產品能夠實現行業領先的性能，以充分滿足客戶對高性能的需求。SK hynix還宣布已開始利用通過這些產品獲得的改進的解決方案開發技術開發下一代PCIe Gen6和UFS 5.0，並表示致力於引領行業趨勢。

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