三星電子展示顛覆性的下一代3D DRAM技術，計劃於2025年後推出

三星電子計畫進軍新的3D DRAM領域，展示能讓市場邁向未來的最新技術。過去幾個季，DRAM產業出現了一些平靜，顯然各公司正忙於應對庫存水準高、消費者需求低迷的嚴峻財務狀況。

現在情況有所好轉，重點終於轉移到下一代研發上，而這一次三星拿出了自己的3D DRAM實現方案，預計將在明年生效。根據出現的簡報，DRAM產業正在轉向10nm以下生產線。為了打破現代DRAM技術創新的僵局，三星計劃推出兩種新方法，稱為垂直通道電晶體(Vertical Channel Transistor)和堆疊式DRAM(Stacked DRAM)，這兩種方法都涉及元件位置的差異，最終減少裝置面積佔用，進而確保更高的效能。

同樣為了增加記憶體容量，三星計劃利用堆疊DRAM概念，這使該公司能夠實現更高的儲存面積，從而將晶片容量增加到未來可能達到100GB。話雖如此預計到2028年3D DRAM市場將成長至1,000億美元，從目前來看三星的發展相對較早，這可能意味著這家韓國龍頭將引領DRAM產業走向未來。

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