Kioxia放話：2031年搞定1000+層快閃記憶體！

Kioxia技術長Hidefumi Miyajima近日披露，Kioxia計劃在2031年批量生產超過1000層堆疊的3D NAND快閃記憶體。

Kioxia現有的最新快閃記憶體技術是2023年3月推出的第八代BiCS，堆疊了218層，介面速度3200MT/s。至於使用什麼樣的新技術、新製程才能達到1000多層，Kioxia沒有明說。

目前堆疊層數最多的快閃記憶體技術來自SK Hynix，達到了321層，不過要到2025年上半年才能量產。有趣的是三星方面先前聲稱計劃在2030年實現1000層快閃記憶體(SSD容量也規劃到了1000TB)，不知道和Kioxia誰能最先做到。

三星的V-NAND已經推進到第九代，將在明年初量產，採用雙堆疊架構，可達成業界最高堆疊層數，預計超過300層，再往後的第十代則會達到430層左右。

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