華碩推出NitroPath DRAM技術，重新設計記憶體插槽，性能可提升400MT/s

主機板廠一直致力於調整 BIOS、改善記憶體佈線等方式去提升記憶體超頻上限。近日，華碩推出一項專門針對記憶體超頻的技術 NitroPath DRAM，另闢蹊徑將傳統記憶體插槽重新設計，以達到縮短傳輸距離、降低訊號干擾等效果，據說可以為超頻性能提升 400MT/s。

NitroPath DRAM 技術主要是在與記憶體金手指接觸的引腳上做出變化，NitroPath DRAM 引腳的線路更短，結構更合理，並有著更好的彈性加強對記憶體固定的壓力，其中記憶體插入時側向壓力從傳統的 6.23kgf 提升到 7.46kgf，拔出時的側向壓力從 3.88kgf 提升至 4.84kgf，插入後的持續壓力從 4.72kgf 提升到 7.42kgf，有效減少記憶體接觸不良與鬆動的情況，帶來更穩定的高頻性能。

目前 ROG CROSSHAIR X870E HERO 和 ROG STRIX X870E-E GAMING WIFI 是首批搭載該技術的主機板，據信接下來推出的 Intel Z890 主機板也會使用。

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