SK hynix HBM4記憶體將於10月Tape-Out，為下一代Rubin AI晶片做好準備

SK hynix的目標是在10月之前完成HBM4記憶體的Tape-Out，並將繼續為NVIDIA的下一代Rubin AI晶片提供動力。

向NVIDIA供應HBM（高頻寬記憶體）的主要參與者SK Hynix已製定計劃為下一代NVIDIA AI晶片Tape-Out HBM4記憶體。據報導該公司也為AMD AI晶片的 HBM4 Tape-Out做好了準備，但只需要幾個月的時間。ZDNet通報稱第六代HBM記憶體已接近完成，設計將於10月投入生產。

Tape-Out本質上是指設計的最後階段，涉及完成完整的晶片設計（在本例中為HBM），以確保記憶體功能齊全。設計過程之後是驗證和驗證，然後HBM記憶體才能進行製造，看起來 SK hynix正在與競爭對手三星保持同步。

SK hynix是為NVIDIA的AI晶片供應HBM記憶體的主要廠商，幾個月前它就已經率先供應其第五代HBM3E 。 HBM4記憶體將是該公司HBM開發時間表中的另一個重要步驟，因為它是最快的DRAM，可提供卓越的功效和更高的頻寬。

與HBM3E相比，HBM4將提供兩倍的通道寬度，即2048位元與1024位元，從而擴展了更快資料傳輸的途徑，這對於提高效能至關重要。 HBM4允許堆疊16個DRAM晶片，而HBM3E則為12個，提供對24Gb和32Gb層的支援。這將導致單一堆疊的容量為64GB，而HBM3E上的容量為32GB。

SK Hynix最近已承諾提供比其現有HBM高20至30倍的性能，這進一步加劇了競爭，因為三星已計劃在下個季Tape-Out自己的HBM4。雖然三星未能像SK Hynix那樣快速通過HBM3E品質檢查，但SK Hynix似乎有一個強大的競爭對手，因為該公司可能期待向AMD和NVIDIA提供其HBM4記憶體晶片。

據報導SK Hynix已組成開發團隊，向NVIDIA和AMD供應HBM4晶片，該記憶體預計將於明年年底進入量產。此次量產恰逢三星計劃在2025年底量產HBM4，這意味著兩家公司都期待為NVIDIA採用Rubin的AI晶片提供更新的HBM記憶體。

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